| ： | M95512-DRMN3TP/K |
|---|---|
| ： | MRAM磁性随机存储器 |
| ： | ST意法半导体 |
| ： | EEPROM SPI 512K |
| ： | - |
| ： | |
| ： | YES |
| TYPE | DESCRIPTION |
| 产品分类 | MRAM磁性随机存储器 存储器 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 包装 | Tape/Reel |
| 接口类型 | SPI |
| 写周期时间-字，页 | 4ms |
| 原始制造商 | STMicroelectronics |
| 品牌 | ST |
| 零件状态 | Active |
| 系列 | Automotive, AEC-Q100 |
| 是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 技术 | EEPROM |
| 存储器类型 | NonVolatile |
| 存储器格式 | EEPROM |
| 存储容量 | 512 (64K x 8)KB |
| 时钟频率（Max） | 16MHz |
| 工作电压（范围） | 5.5V |
| 工作温度 | -40~+125℃ |
| 安装类型 | SMT |
| 封装/外壳 | SOIC-8 |
| 搜索 |
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